異(yi)質結(jie)(jie)HJT電池生(sheng)產設備，制(zhi)絨(rong)清(qing)洗的(de)(de)(de)主要目(mu)的(de)(de)(de)。1去除硅(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)表(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)污染和損傷層；2利用(yong)KOH腐(fu)蝕(shi)(shi)液對n型硅(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)進行各項異(yi)性腐(fu)蝕(shi)(shi)，將Si（100）晶(jing)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)腐(fu)蝕(shi)(shi)為(wei)(wei)Si（111）晶(jing)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)四方椎體(ti)(ti)結(jie)(jie)構(gou)（“金(jin)字塔結(jie)(jie)構(gou)”），即在硅(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)表(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)形成絨(rong)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)，可(ke)將硅(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)表(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)反(fan)射率降(jiang)低至(zhi)12.5%以(yi)下，從而產生(sheng)更多的(de)(de)(de)光生(sheng)載(zai)流子(zi)；3形成潔凈(jing)硅(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)表(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)，由(you)于HJT電池中硅(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)襯(chen)底表(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)直(zhi)接為(wei)(wei)異(yi)質結(jie)(jie)界面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)一部分(fen)，避免不潔凈(jing)引進的(de)(de)(de)缺陷(xian)和雜質而帶來的(de)(de)(de)結(jie)(jie)界面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)處載(zai)流子(zi)的(de)(de)(de)復合。堿溶液濃度較(jiao)低時，單晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)的(de)(de)(de)(100)與(111)晶(jing)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)腐(fu)蝕(shi)(shi)速度差(cha)別比(bi)較(jiao)明顯，速度的(de)(de)(de)比(bi)值被稱為(wei)(wei)各向異(yi)性因(yin)子(zi)(anisotropicfactorAF)；因(yin)此改變堿溶液的(de)(de)(de)濃度及(ji)溫度，可(ke)以(yi)有效地改變AF，使得在不同方向上的(de)(de)(de)速度不同，在硅(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)表(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)形成密集分(fen)布的(de)(de)(de)“金(jin)字塔”結(jie)(jie)構(gou)的(de)(de)(de)減反(fan)射絨(rong)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)；在制(zhi)絨(rong)工序，絨(rong)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)大小為(wei)(wei)主要指標(biao)，一般可(ke)通過添(tian)加劑的(de)(de)(de)選擇、工藝配比(bi)的(de)(de)(de)變化、工藝溫度及(ji)工藝時間等(deng)來進行調節控制(zhi)。光伏異(yi)質結(jie)(jie)的(de)(de)(de)廣泛(fan)應用(yong)將有助于減少溫室(shi)氣(qi)體(ti)(ti)排放，降(jiang)低對化石能源的(de)(de)(de)依賴，實現可(ke)持續(xu)發展(zhan)目(mu)標(biao)。浙江新型異(yi)質結(jie)(jie)材料

異(yi)(yi)質(zhi)結電(dian)池(chi)(chi)生產(chan)(chan)設備，本征(zheng)(zheng)非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)薄膜(mo)(mo)沉(chen)積(ji)(ji)(ji)（i-a-Si:H）i-a-Si:H/c-Si界(jie)(jie)面(mian)(mian)處(chu)(chu)存在復合(he)活性高的(de)(de)(de)(de)異(yi)(yi)質(zhi)界(jie)(jie)面(mian)(mian)，是由(you)于界(jie)(jie)面(mian)(mian)處(chu)(chu)非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)薄膜(mo)(mo)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)缺(que)陷和(he)(he)界(jie)(jie)面(mian)(mian)上的(de)(de)(de)(de)懸(xuan)掛(gua)(gua)鍵(jian)會(hui)成(cheng)為復合(he)中(zhong)心，因此(ci)需(xu)要(yao)(yao)進行化(hua)(hua)學鈍化(hua)(hua)；化(hua)(hua)學鈍化(hua)(hua)主要(yao)(yao)由(you)氫鈍化(hua)(hua)非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)薄膜(mo)(mo)鈍化(hua)(hua)層來(lai)完(wan)(wan)成(cheng)，將(jiang)非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)薄膜(mo)(mo)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)缺(que)陷和(he)(he)界(jie)(jie)面(mian)(mian)懸(xuan)掛(gua)(gua)鍵(jian)飽和(he)(he)來(lai)減少(shao)復合(he)性缺(que)陷態密度。摻雜(za)非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)薄膜(mo)(mo)沉(chen)積(ji)(ji)(ji)場鈍化(hua)(hua)主要(yao)(yao)在電(dian)池(chi)(chi)背面(mian)(mian)沉(chen)積(ji)(ji)(ji)同型(xing)摻雜(za)非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)薄層形成(cheng)背電(dian)場，可(ke)以削(xue)弱界(jie)(jie)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)復合(he)，達到減少(shao)載(zai)流子(zi)復合(he)和(he)(he)獲取更多光生載(zai)流子(zi)的(de)(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)(de)；摻雜(za)非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)薄膜(mo)(mo)一般采用與(yu)沉(chen)積(ji)(ji)(ji)本征(zheng)(zheng)非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)膜(mo)(mo)層相似(si)的(de)(de)(de)(de)等離(li)子(zi)體系統(tong)來(lai)完(wan)(wan)成(cheng)；p型(xing)摻雜(za)常用的(de)(de)(de)(de)摻雜(za)源為硼烷(B2H6)混(hun)氫,或(huo)者三甲基硼(TMB)；n型(xing)摻雜(za)則(ze)用磷(lin)烷混(hun)氫（PH3)。優越的(de)(de)(de)(de)表面(mian)(mian)鈍化(hua)(hua)能(neng)力是獲得較高電(dian)池(chi)(chi)效率的(de)(de)(de)(de)重要(yao)(yao)條件(jian)，利用非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)優異(yi)(yi)的(de)(de)(de)(de)鈍化(hua)(hua)效果，可(ke)將(jiang)硅(gui)(gui)(gui)(gui)片的(de)(de)(de)(de)少(shao)子(zi)壽命大幅度提升。浙(zhe)江(jiang)國產(chan)(chan)異(yi)(yi)質(zhi)結濕法設備異(yi)(yi)質(zhi)結電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)出色性能(neng)和(he)(he)廣泛的(de)(de)(de)(de)應用前景使其成(cheng)為未來(lai)太(tai)陽(yang)能(neng)產(chan)(chan)業的(de)(de)(de)(de)明星技術。

異質(zhi)結(jie)(jie)電(dian)(dian)池(chi)(chi)（HJT電(dian)(dian)池(chi)(chi)）的(de)(de)(de)特點(dian)和優勢1、無PID現(xian)(xian)象(xiang)由(you)于(yu)電(dian)(dian)池(chi)(chi)上表(biao)面為(wei)TCO，電(dian)(dian)荷不(bu)會(hui)在(zai)(zai)電(dian)(dian)池(chi)(chi)表(biao)面的(de)(de)(de)TCO上產(chan)(chan)生極(ji)化現(xian)(xian)象(xiang)，無PID現(xian)(xian)象(xiang)。同時(shi)實測數據(ju)也證實了這(zhe)一(yi)點(dian)。異質(zhi)結(jie)(jie)太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)技(ji)術應(ying)用與前(qian)(qian)景2、低(di)溫制(zhi)造工藝HJT電(dian)(dian)池(chi)(chi)所有制(zhi)程(cheng)的(de)(de)(de)加工溫度(du)均低(di)于(yu)250，避(bi)免(mian)了生產(chan)(chan)效(xiao)率(lv)(lv)(lv)低(di)而(er)成本高(gao)(gao)的(de)(de)(de)高(gao)(gao)溫擴散制(zhi)結(jie)(jie)的(de)(de)(de)過程(cheng)，而(er)且低(di)溫工藝使得a-Si薄(bo)膜的(de)(de)(de)光(guang)(guang)學帶隙、沉積速率(lv)(lv)(lv)、吸(xi)收系數以及氫含量得到較精(jing)確(que)的(de)(de)(de)控(kong)制(zhi)，也可(ke)避(bi)免(mian)因高(gao)(gao)溫導致的(de)(de)(de)熱應(ying)力等不(bu)良(liang)影(ying)響。3、高(gao)(gao)效(xiao)率(lv)(lv)(lv)HJT電(dian)(dian)池(chi)(chi)一(yi)直在(zai)(zai)刷新著量產(chan)(chan)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)池(chi)(chi)轉換效(xiao)率(lv)(lv)(lv)的(de)(de)(de)世(shi)界(jie)紀錄。HJT電(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)效(xiao)率(lv)(lv)(lv)比P型(xing)單晶硅(gui)電(dian)(dian)池(chi)(chi)高(gao)(gao)1-2%，而(er)且之(zhi)間的(de)(de)(de)差異在(zai)(zai)慢慢增大。4、高(gao)(gao)光(guang)(guang)照穩(wen)定性異質(zhi)結(jie)(jie)太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)技(ji)術應(ying)用與前(qian)(qian)景在(zai)(zai)HJT太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)池(chi)(chi)中不(bu)會(hui)出現(xian)(xian)非晶硅(gui)太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)池(chi)(chi)中常(chang)見的(de)(de)(de)Staebler-Wronski效(xiao)應(ying)。同時(shi)HJT電(dian)(dian)池(chi)(chi)采用的(de)(de)(de)N型(xing)硅(gui)片(pian)，摻(chan)雜劑(ji)為(wei)磷，幾乎無光(guang)(guang)致衰減現(xian)(xian)象(xiang)。5、可(ke)向薄(bo)型(xing)化發展HJT電(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)制(zhi)程(cheng)溫度(du)低(di)，上下表(biao)面結(jie)(jie)構(gou)對稱，無機械應(ying)力產(chan)(chan)生，可(ke)以順利(li)實現(xian)(xian)薄(bo)型(xing)化；另(ling)外經研究，對于(yu)少子壽命較高(gao)(gao)（SRV<100cm/s）的(de)(de)(de)N型(xing)硅(gui)基底，片(pian)子越薄(bo)可(ke)以得到越高(gao)(gao)的(de)(de)(de)開(kai)路電(dian)(dian)壓(ya)。

太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能(neng)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(jie)(jie)(jie)是(shi)(shi)(shi)一(yi)種(zhong)(zhong)由兩種(zhong)(zhong)不同材(cai)(cai)料(liao)(liao)組成(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)(de)結(jie)(jie)(jie)(jie)構(gou)，其(qi)中(zhong)一(yi)種(zhong)(zhong)材(cai)(cai)料(liao)(liao)是(shi)(shi)(shi)n型(xing)(xing)半導(dao)(dao)體(ti)，另(ling)一(yi)種(zhong)(zhong)是(shi)(shi)(shi)p型(xing)(xing)半導(dao)(dao)體(ti)。這兩種(zhong)(zhong)半導(dao)(dao)體(ti)材(cai)(cai)料(liao)(liao)的(de)(de)(de)(de)結(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)了(le)一(yi)個(ge)(ge)(ge)p-n結(jie)(jie)(jie)(jie)，也(ye)稱為(wei)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(jie)(jie)(jie)。在(zai)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能(neng)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(jie)(jie)(jie)中(zhong)，n型(xing)(xing)半導(dao)(dao)體(ti)的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)子(zi)濃度(du)(du)比(bi)(bi)空穴(xue)濃度(du)(du)高(gao)(gao)，而p型(xing)(xing)半導(dao)(dao)體(ti)的(de)(de)(de)(de)空穴(xue)濃度(du)(du)比(bi)(bi)電(dian)(dian)子(zi)濃度(du)(du)高(gao)(gao)。當(dang)這兩種(zhong)(zhong)材(cai)(cai)料(liao)(liao)結(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)在(zai)一(yi)起時，電(dian)(dian)子(zi)和(he)(he)空穴(xue)會在(zai)p-n結(jie)(jie)(jie)(jie)處相遇并重新(xin)組合(he)，從(cong)而產生(sheng)(sheng)一(yi)個(ge)(ge)(ge)電(dian)(dian)勢(shi)差。這個(ge)(ge)(ge)電(dian)(dian)勢(shi)差可(ke)以用來驅動電(dian)(dian)子(zi)流，從(cong)而產生(sheng)(sheng)電(dian)(dian)能(neng)。太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能(neng)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(jie)(jie)(jie)的(de)(de)(de)(de)結(jie)(jie)(jie)(jie)構(gou)通(tong)常包括一(yi)個(ge)(ge)(ge)p型(xing)(xing)半導(dao)(dao)體(ti)層和(he)(he)一(yi)個(ge)(ge)(ge)n型(xing)(xing)半導(dao)(dao)體(ti)層，它(ta)(ta)們之間(jian)有一(yi)個(ge)(ge)(ge)p-n結(jie)(jie)(jie)(jie)。在(zai)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)池中(zhong)，這個(ge)(ge)(ge)結(jie)(jie)(jie)(jie)構(gou)通(tong)常被放置(zhi)在(zai)一(yi)個(ge)(ge)(ge)透明的(de)(de)(de)(de)玻璃(li)或塑料(liao)(liao)表(biao)面下，以便太(tai)(tai)陽(yang)(yang)光可(ke)以穿過并照射到p-n結(jie)(jie)(jie)(jie)上。當(dang)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)光照射到p-n結(jie)(jie)(jie)(jie)上時，它(ta)(ta)會激發(fa)電(dian)(dian)子(zi)和(he)(he)空穴(xue)的(de)(de)(de)(de)運(yun)動，從(cong)而產生(sheng)(sheng)電(dian)(dian)流。總之，太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能(neng)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(jie)(jie)(jie)的(de)(de)(de)(de)結(jie)(jie)(jie)(jie)構(gou)是(shi)(shi)(shi)由一(yi)個(ge)(ge)(ge)p型(xing)(xing)半導(dao)(dao)體(ti)層和(he)(he)一(yi)個(ge)(ge)(ge)n型(xing)(xing)半導(dao)(dao)體(ti)層組成(cheng)(cheng)(cheng)，它(ta)(ta)們之間(jian)有一(yi)個(ge)(ge)(ge)p-n結(jie)(jie)(jie)(jie)。這個(ge)(ge)(ge)結(jie)(jie)(jie)(jie)構(gou)可(ke)以將太(tai)(tai)陽(yang)(yang)光轉化為(wei)電(dian)(dian)能(neng)，是(shi)(shi)(shi)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)池的(de)(de)(de)(de)主(zhu)要組成(cheng)(cheng)(cheng)部分。光伏異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(jie)(jie)(jie)技術(shu)的(de)(de)(de)(de)不斷創新(xin)，推動了(le)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能(neng)產業的(de)(de)(de)(de)發(fa)展和(he)(he)普及。

異(yi)高效(xiao)(xiao)(xiao)質結(jie)(jie)電(dian)池(chi)HJT是(shi)HeterojunctionTechnology的(de)縮寫，是(shi)一種N型(xing)單(dan)晶雙面電(dian)池(chi)，具有工藝簡單(dan)、發電(dian)量(liang)高、度(du)電(dian)成本低(di)的(de)優(you)(you)勢(shi)。異(yi)質結(jie)(jie)太(tai)陽能(neng)電(dian)池(chi)使用晶體硅片進(jin)行載(zai)流子傳輸和吸收，并使用非晶/或微(wei)晶薄硅層進(jin)行鈍化和結(jie)(jie)的(de)形成。頂部電(dian)極由透明導(dao)電(dian)氧化物（TCO）層和金屬網格組成。異(yi)質結(jie)(jie)硅太(tai)陽能(neng)電(dian)池(chi)已經(jing)吸引了(le)很(hen)多(duo)人的(de)注意，因為(wei)它(ta)們可(ke)以(yi)達(da)到(dao)很(hen)高的(de)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)率，可(ke)達(da)26.3%，由隆(long)基團隊對HJT極限效(xiao)(xiao)(xiao)率進(jin)行更新為(wei)28.5%，同(tong)時(shi)使用低(di)溫度(du)加(jia)工，通常整(zheng)個過程低(di)于(yu)200℃。低(di)加(jia)工溫度(du)允許處理厚度(du)小于(yu)100微(wei)米的(de)硅晶圓，同(tong)時(shi)保持高產(chan)量(liang)。中國在光伏(fu)異(yi)質結(jie)(jie)技(ji)術的(de)研(yan)發和應(ying)用方面處于(yu)優(you)(you)勢(shi)地位，擁(yong)有眾多(duo)出名(ming)企業和研(yan)究機構。西安國產(chan)異(yi)質結(jie)(jie)裝備供應(ying)商(shang)

在全球范(fan)圍(wei)內，光伏異質(zhi)結技(ji)術正在逐漸取代傳統的(de)硅基太陽能(neng)電池，成(cheng)為主流的(de)太陽能(neng)轉換技(ji)術。浙江(jiang)新型異質(zhi)結材料

太(tai)陽能(neng)異(yi)質結(jie)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)是(shi)太(tai)陽能(neng)發電(dian)(dian)系統(tong)的(de)主要(yao)(yao)部(bu)件，因(yin)此(ci)維護和(he)(he)修復非常(chang)重(zhong)要(yao)(yao)。以(yi)下是(shi)一些維護和(he)(he)修復太(tai)陽能(neng)異(yi)質結(jie)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)的(de)建(jian)議(yi)：1.定(ding)(ding)期(qi)清潔(jie)(jie)：太(tai)陽能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)板(ban)表面需要(yao)(yao)定(ding)(ding)期(qi)清潔(jie)(jie)，以(yi)確保其更(geng)大化的(de)吸收太(tai)陽能(neng)。可以(yi)使(shi)用軟布或(huo)海綿輕(qing)輕(qing)擦(ca)拭(shi)表面，避免使(shi)用化學清潔(jie)(jie)劑。2.檢(jian)(jian)(jian)查(cha)(cha)(cha)(cha)電(dian)(dian)線：檢(jian)(jian)(jian)查(cha)(cha)(cha)(cha)電(dian)(dian)線是(shi)否(fou)有(you)(you)損壞(huai)(huai)或(huo)老(lao)化，如(ru)果(guo)有(you)(you)則需要(yao)(yao)更(geng)換。3.檢(jian)(jian)(jian)查(cha)(cha)(cha)(cha)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)板(ban)：檢(jian)(jian)(jian)查(cha)(cha)(cha)(cha)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)板(ban)是(shi)否(fou)有(you)(you)裂紋(wen)或(huo)其他損壞(huai)(huai)，如(ru)果(guo)有(you)(you)則需要(yao)(yao)更(geng)換。4.檢(jian)(jian)(jian)查(cha)(cha)(cha)(cha)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)連(lian)接器：檢(jian)(jian)(jian)查(cha)(cha)(cha)(cha)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)連(lian)接器是(shi)否(fou)松(song)(song)動或(huo)腐(fu)蝕(shi)，如(ru)果(guo)有(you)(you)則需要(yao)(yao)更(geng)換。5.檢(jian)(jian)(jian)查(cha)(cha)(cha)(cha)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)支(zhi)架(jia)(jia)：檢(jian)(jian)(jian)查(cha)(cha)(cha)(cha)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)支(zhi)架(jia)(jia)是(shi)否(fou)穩固，如(ru)果(guo)有(you)(you)松(song)(song)動則需要(yao)(yao)緊固。6.定(ding)(ding)期(qi)檢(jian)(jian)(jian)查(cha)(cha)(cha)(cha)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)性能(neng)：定(ding)(ding)期(qi)檢(jian)(jian)(jian)查(cha)(cha)(cha)(cha)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)的(de)性能(neng)，如(ru)電(dian)(dian)壓、電(dian)(dian)流和(he)(he)功率輸出(chu)等(deng)，以(yi)確保其正常(chang)運行。7.防止過(guo)充(chong)和(he)(he)過(guo)放：過(guo)充(chong)和(he)(he)過(guo)放會損壞(huai)(huai)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)，因(yin)此(ci)需要(yao)(yao)安裝適當的(de)充(chong)放電(dian)(dian)控制器。總(zong)之(zhi)，定(ding)(ding)期(qi)維護和(he)(he)檢(jian)(jian)(jian)查(cha)(cha)(cha)(cha)太(tai)陽能(neng)異(yi)質結(jie)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)是(shi)確保其長(chang)期(qi)穩定(ding)(ding)運行的(de)關鍵。如(ru)果(guo)出(chu)現(xian)問題，及時修復也是(shi)非常(chang)重(zhong)要(yao)(yao)的(de)。浙江(jiang)新型異(yi)質結(jie)材料

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