在(zai)(zai)激光(guang)慣(guan)性約束(shu)核(he)聚(ju)(ju)變實(shi)驗中，靶(ba)丸(wan)(wan)(wan)的(de)(de)(de)物性參數(shu)(shu)和幾何(he)參數(shu)(shu)是(shi)靶(ba)丸(wan)(wan)(wan)制備工藝(yi)改進(jin)(jin)和仿(fang)真模擬核(he)聚(ju)(ju)變實(shi)驗過程(cheng)的(de)(de)(de)基(ji)礎，因此(ci)如何(he)對(dui)(dui)靶(ba)丸(wan)(wan)(wan)多個參數(shu)(shu)進(jin)(jin)行同步、高(gao)精(jing)度(du)、無損(sun)的(de)(de)(de)綜合(he)檢測(ce)(ce)是(shi)激光(guang)慣(guan)性約束(shu)核(he)聚(ju)(ju)變實(shi)驗中的(de)(de)(de)關鍵問題。以上各(ge)種薄(bo)膜(mo)厚(hou)度(du)及折(zhe)射(she)率的(de)(de)(de)測(ce)(ce)量(liang)方(fang)法(fa)各(ge)有(you)利弊(bi)，但針對(dui)(dui)本文實(shi)驗，仍然無法(fa)滿足激光(guang)核(he)聚(ju)(ju)變技(ji)術(shu)對(dui)(dui)靶(ba)丸(wan)(wan)(wan)參數(shu)(shu)測(ce)(ce)量(liang)的(de)(de)(de)高(gao)要求，靶(ba)丸(wan)(wan)(wan)參數(shu)(shu)測(ce)(ce)量(liang)存在(zai)(zai)以下問題：不能對(dui)(dui)靶(ba)丸(wan)(wan)(wan)進(jin)(jin)行破壞性切割測(ce)(ce)量(liang)，否則，被破壞后的(de)(de)(de)靶(ba)丸(wan)(wan)(wan)無法(fa)用(yong)于(yu)(yu)于(yu)(yu)下一步工藝(yi)處理或者打靶(ba)實(shi)驗；需要同時測(ce)(ce)得靶(ba)丸(wan)(wan)(wan)的(de)(de)(de)多個參數(shu)(shu)，不同參數(shu)(shu)的(de)(de)(de)單獨測(ce)(ce)量(liang)，無法(fa)提供(gong)靶(ba)丸(wan)(wan)(wan)制備和核(he)聚(ju)(ju)變反應過程(cheng)中發生的(de)(de)(de)結構(gou)變化現(xian)象(xiang)和規律(lv)，并且效率低下、沒有(you)統(tong)一的(de)(de)(de)測(ce)(ce)量(liang)標準。靶(ba)丸(wan)(wan)(wan)屬于(yu)(yu)自支(zhi)撐球形薄(bo)膜(mo)結構(gou)，曲面應力(li)大、難展平的(de)(de)(de)特點導致靶(ba)丸(wan)(wan)(wan)與基(ji)底不能完全貼合(he)，在(zai)(zai)微區內可(ke)看(kan)作類薄(bo)膜(mo)結構(gou)白(bai)光(guang)干涉膜(mo)厚(hou)測(ce)(ce)量(liang)技(ji)術(shu)可(ke)以對(dui)(dui)薄(bo)膜(mo)的(de)(de)(de)表(biao)面和內部進(jin)(jin)行聯合(he)測(ce)(ce)量(liang)和分析(xi)。工廠膜(mo)厚(hou)儀推薦(jian)

論文(wen)(wen)主要以半導體鍺(zang)和(he)貴金屬(shu)金兩(liang)種材(cai)料為(wei)對(dui)象(xiang)，研(yan)究了白(bai)(bai)光(guang)(guang)干(gan)涉(she)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)、表面等(deng)離(li)子(zi)體共振法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)和(he)外差(cha)干(gan)涉(she)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)實現納米(mi)級薄膜(mo)(mo)(mo)厚(hou)度準確測量(liang)(liang)(liang)的(de)可行性(xing)。由于(yu)不(bu)同材(cai)料薄膜(mo)(mo)(mo)的(de)特(te)性(xing)不(bu)同，所適用的(de)測量(liang)(liang)(liang)方法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)也不(bu)同。半導體鍺(zang)膜(mo)(mo)(mo)具有折射率高，在通(tong)信(xin)波段(duan)(duan)（1550nm附(fu)近）不(bu)透明的(de)特(te)點，選擇采(cai)用白(bai)(bai)光(guang)(guang)干(gan)涉(she)的(de)測量(liang)(liang)(liang)方法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)；而(er)(er)厚(hou)度更(geng)薄的(de)金膜(mo)(mo)(mo)的(de)折射率為(wei)復數，且能激發的(de)表面等(deng)離(li)子(zi)體效應，因(yin)而(er)(er)可借助基于(yu)表面等(deng)離(li)子(zi)體共振的(de)測量(liang)(liang)(liang)方法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)；為(wei)了進一步改善測量(liang)(liang)(liang)的(de)精(jing)度，論文(wen)(wen)還研(yan)究了外差(cha)干(gan)涉(she)測量(liang)(liang)(liang)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)，通(tong)過引入高精(jing)度的(de)相位解調(diao)手段(duan)(duan)，檢測P光(guang)(guang)與(yu)S光(guang)(guang)之間(jian)的(de)相位差(cha)提升厚(hou)度測量(liang)(liang)(liang)的(de)精(jing)度。推薦(jian)膜(mo)(mo)(mo)厚(hou)儀源頭直供(gong)廠家白(bai)(bai)光(guang)(guang)干(gan)涉(she)膜(mo)(mo)(mo)厚(hou)測量(liang)(liang)(liang)技術可以應用于(yu)材(cai)料科學中的(de)薄膜(mo)(mo)(mo)微結(jie)構分析。

針對(dui)微米級工(gong)業(ye)(ye)薄膜厚(hou)度(du)(du)測(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)(liang)(liang)，研究了(le)基(ji)于寬光(guang)譜(pu)干涉(she)(she)的(de)(de)反射式法測(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)(liang)(liang)方法。根(gen)據薄膜干涉(she)(she)及(ji)光(guang)譜(pu)共聚(ju)焦(jiao)(jiao)原理，綜合考慮成(cheng)本、穩定(ding)性、體積等因(yin)素要求，研制了(le)滿足工(gong)業(ye)(ye)應用的(de)(de)小型薄膜厚(hou)度(du)(du)測(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)(liang)(liang)系(xi)(xi)統。根(gen)據波長分(fen)辨下(xia)的(de)(de)薄膜反射干涉(she)(she)光(guang)譜(pu)模(mo)型，結合經典模(mo)態分(fen)解(jie)和非均勻傅里葉(xie)變(bian)(bian)換思想，提出了(le)一種基(ji)于相(xiang)位功率(lv)譜(pu)分(fen)析的(de)(de)膜厚(hou)解(jie)算(suan)(suan)算(suan)(suan)法，能有(you)效利用全光(guang)譜(pu)數據準確(que)提取相(xiang)位變(bian)(bian)化(hua)，對(dui)由環境噪聲帶來的(de)(de)假頻干擾，具(ju)有(you)很好(hao)的(de)(de)抗干擾性。通過對(dui)PVC標準厚(hou)度(du)(du)片，PCB板芯片膜層(ceng)及(ji)鍺基(ji)SiO2膜層(ceng)的(de)(de)測(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)(liang)(liang)實驗對(dui)系(xi)(xi)統性能進行了(le)驗證(zheng)，結果表明(ming)測(ce)(ce)厚(hou)系(xi)(xi)統具(ju)有(you)1~75μm厚(hou)度(du)(du)的(de)(de)測(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)(liang)(liang)量(liang)(liang)(liang)(liang)(liang)程(cheng)，μm.的(de)(de)測(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)(liang)(liang)不確(que)定(ding)度(du)(du)。由于無需(xu)對(dui)焦(jiao)(jiao)，可在10ms內完(wan)成(cheng)單次測(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)(liang)(liang)，滿足工(gong)業(ye)(ye)級測(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)(liang)(liang)高效便捷的(de)(de)應用要求。

光(guang)具有(you)傳播的(de)(de)(de)(de)特(te)性，不同(tong)波列在相(xiang)(xiang)(xiang)遇(yu)的(de)(de)(de)(de)區域，振(zhen)(zhen)動(dong)(dong)將相(xiang)(xiang)(xiang)互疊(die)加(jia)(jia)，是(shi)各列光(guang)波獨自在該(gai)點所引起的(de)(de)(de)(de)振(zhen)(zhen)動(dong)(dong)矢量(liang)和。兩束光(guang)要(yao)發生干(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)，應(ying)必須滿足三(san)個相(xiang)(xiang)(xiang)干(gan)(gan)(gan)(gan)條件(jian)，即：頻率(lv)一(yi)致、振(zhen)(zhen)動(dong)(dong)方(fang)(fang)向(xiang)一(yi)致、相(xiang)(xiang)(xiang)位差穩(wen)定(ding)(ding)一(yi)致。發生干(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)的(de)(de)(de)(de)兩束光(guang)在一(yi)些地(di)方(fang)(fang)振(zhen)(zhen)動(dong)(dong)加(jia)(jia)強，而在另一(yi)些地(di)方(fang)(fang)振(zhen)(zhen)動(dong)(dong)減(jian)弱，產生規則的(de)(de)(de)(de)明暗(an)交替(ti)變化。任(ren)何干(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)測(ce)量(liang)都是(shi)完(wan)全建立在這種光(guang)波典型特(te)性上的(de)(de)(de)(de)。下(xia)圖分別表(biao)示(shi)干(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)相(xiang)(xiang)(xiang)長和干(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)相(xiang)(xiang)(xiang)消的(de)(de)(de)(de)合(he)振(zhen)(zhen)幅。與激光(guang)光(guang)源相(xiang)(xiang)(xiang)比，白光(guang)光(guang)源的(de)(de)(de)(de)相(xiang)(xiang)(xiang)干(gan)(gan)(gan)(gan)長度(du)在幾微(wei)米到(dao)幾十微(wei)米內(nei)，通(tong)常都很短，更為重(zhong)要(yao)的(de)(de)(de)(de)是(shi)，白光(guang)光(guang)源產生的(de)(de)(de)(de)干(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)條紋(wen)具有(you)一(yi)個典型的(de)(de)(de)(de)特(te)征：即條紋(wen)有(you)一(yi)個固定(ding)(ding)不變的(de)(de)(de)(de)位置(zhi)，該(gai)固定(ding)(ding)位置(zhi)對應(ying)于(yu)光(guang)程差為零的(de)(de)(de)(de)平衡位置(zhi)，并(bing)在該(gai)位置(zhi)白光(guang)輸出光(guang)強度(du)具有(you)最大值，并(bing)通(tong)過探(tan)測(ce)該(gai)光(guang)強最大值，可實現樣品表(biao)面位移的(de)(de)(de)(de)精密(mi)測(ce)量(liang)。此(ci)外，白光(guang)光(guang)源具有(you)系統(tong)抗干(gan)(gan)(gan)(gan)擾能力(li)強、穩(wen)定(ding)(ding)性好且動(dong)(dong)態范圍大、結構(gou)簡單，成本低廉等優點。因(yin)此(ci)，白光(guang)垂直掃描干(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)、白光(guang)反(fan)射光(guang)譜等基于(yu)白光(guang)干(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)的(de)(de)(de)(de)光(guang)學測(ce)量(liang)技術在薄(bo)(bo)膜三(san)維形(xing)(xing)貌測(ce)量(liang)、薄(bo)(bo)膜厚度(du)精密(mi)測(ce)量(liang)等領域得(de)以廣泛(fan)應(ying)用。白光(guang)干(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)膜厚測(ce)量(liang)技術可以實現對薄(bo)(bo)膜表(biao)面形(xing)(xing)貌的(de)(de)(de)(de)測(ce)量(liang)。

在初始相(xiang)位(wei)為(wei)零(ling)的(de)(de)情況(kuang)下(xia)(xia)，當被測(ce)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)與(yu)(yu)參(can)考光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)之(zhi)間(jian)的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)為(wei)零(ling)時，光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)強(qiang)(qiang)度(du)將達到(dao)最大值(zhi)(zhi)。為(wei)探測(ce)兩(liang)個光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)束之(zhi)間(jian)的(de)(de)零(ling)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)位(wei)置(zhi)(zhi)，需要精密Z向(xiang)運動(dong)臺帶動(dong)干(gan)(gan)涉(she)(she)鏡頭作(zuo)垂直掃(sao)描(miao)(miao)運動(dong)或移(yi)動(dong)載物臺，垂直掃(sao)描(miao)(miao)過程(cheng)(cheng)中(zhong)(zhong)，用(yong)探測(ce)器(qi)記錄(lu)下(xia)(xia)干(gan)(gan)涉(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)強(qiang)(qiang)，可得(de)白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)干(gan)(gan)涉(she)(she)信(xin)號強(qiang)(qiang)度(du)與(yu)(yu)Z向(xiang)掃(sao)描(miao)(miao)位(wei)置(zhi)(zhi)（兩(liang)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)束光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)）之(zhi)間(jian)的(de)(de)變化曲線。干(gan)(gan)涉(she)(she)圖像序列中(zhong)(zhong)某波長處的(de)(de)白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)信(xin)號強(qiang)(qiang)度(du)隨光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)變化示(shi)意(yi)圖，曲線中(zhong)(zhong)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)強(qiang)(qiang)極大值(zhi)(zhi)位(wei)置(zhi)(zhi)即為(wei)零(ling)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)位(wei)置(zhi)(zhi)，通過零(ling)過程(cheng)(cheng)差(cha)位(wei)置(zhi)(zhi)的(de)(de)精密定位(wei)，即可實現樣品表面(mian)相(xiang)對位(wei)移(yi)的(de)(de)精密測(ce)量(liang)；通過確(que)定最大值(zhi)(zhi)對應(ying)的(de)(de)Z向(xiang)位(wei)置(zhi)(zhi)可獲得(de)被測(ce)樣品表面(mian)的(de)(de)三維高(gao)度(du)。白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)干(gan)(gan)涉(she)(she)膜厚測(ce)量(liang)技術可以實現對薄膜的(de)(de)非接觸式測(ce)量(liang)。防(fang)水膜厚儀制造(zao)廠家

白(bai)光干涉膜厚測量技術可以實現(xian)對(dui)復雜薄膜結構的測量。工廠膜厚儀推薦(jian)

為了(le)分(fen)析白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)反(fan)(fan)(fan)射(she)(she)(she)(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)的(de)(de)測(ce)(ce)量(liang)(liang)范圍(wei)，開展了(le)不(bu)同(tong)(tong)壁厚(hou)(hou)的(de)(de)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)(wan)殼(ke)(ke)層白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)反(fan)(fan)(fan)射(she)(she)(she)(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)測(ce)(ce)量(liang)(liang)實驗。圖(tu)(tu)是(shi)不(bu)同(tong)(tong)殼(ke)(ke)層厚(hou)(hou)度(du)(du)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)(wan)的(de)(de)白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)反(fan)(fan)(fan)射(she)(she)(she)(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)測(ce)(ce)量(liang)(liang)曲線(xian)，如圖(tu)(tu)所示，對(dui)于殼(ke)(ke)層厚(hou)(hou)度(du)(du)30μm的(de)(de)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)(wan)，其白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)反(fan)(fan)(fan)射(she)(she)(she)(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)各(ge)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)峰(feng)非常(chang)密集(ji)、干(gan)涉級次數值大；此外，由于靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)(wan)殼(ke)(ke)層的(de)(de)吸收，壁厚(hou)(hou)較(jiao)(jiao)大的(de)(de)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)(wan)信號強度(du)(du)相對(dui)較(jiao)(jiao)弱(ruo)。隨著靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)(wan)殼(ke)(ke)層厚(hou)(hou)度(du)(du)的(de)(de)進(jin)一(yi)步增加，其白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)反(fan)(fan)(fan)射(she)(she)(she)(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)各(ge)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)峰(feng)將更加密集(ji)，難以實現對(dui)各(ge)干(gan)涉譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)峰(feng)波(bo)長的(de)(de)測(ce)(ce)量(liang)(liang)。為實現較(jiao)(jiao)大厚(hou)(hou)度(du)(du)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)(wan)殼(ke)(ke)層厚(hou)(hou)度(du)(du)的(de)(de)白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)反(fan)(fan)(fan)射(she)(she)(she)(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)測(ce)(ce)量(liang)(liang)，需采(cai)用(yong)紅外的(de)(de)寬(kuan)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)源和光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)探(tan)(tan)測(ce)(ce)器(qi)。對(dui)于殼(ke)(ke)層厚(hou)(hou)度(du)(du)為μm的(de)(de)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)(wan)，測(ce)(ce)量(liang)(liang)的(de)(de)波(bo)峰(feng)相對(dui)較(jiao)(jiao)少，容易實現靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)(wan)殼(ke)(ke)層白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)反(fan)(fan)(fan)射(she)(she)(she)(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)峰(feng)波(bo)長的(de)(de)準確測(ce)(ce)量(liang)(liang)；隨著靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)(wan)殼(ke)(ke)層厚(hou)(hou)度(du)(du)的(de)(de)進(jin)一(yi)步減(jian)小(xiao)，兩(liang)干(gan)涉信號之間的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)程差差異非常(chang)小(xiao)，以至(zhi)于他(ta)們(men)的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)信號中只有(you)一(yi)個干(gan)涉波(bo)峰(feng)，基于峰(feng)值探(tan)(tan)測(ce)(ce)的(de)(de)白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)反(fan)(fan)(fan)射(she)(she)(she)(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)方(fang)法難以實現其厚(hou)(hou)度(du)(du)的(de)(de)測(ce)(ce)量(liang)(liang)；為實現較(jiao)(jiao)小(xiao)厚(hou)(hou)度(du)(du)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)(wan)殼(ke)(ke)層厚(hou)(hou)度(du)(du)的(de)(de)白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)反(fan)(fan)(fan)射(she)(she)(she)(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)測(ce)(ce)量(liang)(liang)，可采(cai)用(yong)紫外的(de)(de)寬(kuan)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)源和光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)(pu)(pu)(pu)(pu)探(tan)(tan)測(ce)(ce)器(qi)提升(sheng)其探(tan)(tan)測(ce)(ce)厚(hou)(hou)度(du)(du)下限。工(gong)廠膜厚(hou)(hou)儀推薦

本文來自沈陽喜納多(duo)采(cai)暖工程(cheng)有限(xian)公(gong)司(si)：//zjlong.cn/Article/95b399548.html