EVG®770的(de)(de)特征：微(wei)透鏡用(yong)于(yu)晶片級光(guang)學(xue)器件的(de)(de)高效率制造(zao)主(zhu)下降到(dao)納米(mi)結(jie)構為(wei)SmartNIL®簡(jian)單實施不同種類的(de)(de)大(da)師(shi)可(ke)變抗蝕劑分(fen)配(pei)模(mo)(mo)式(shi)分(fen)配(pei)，壓印(yin)和(he)(he)脫(tuo)模(mo)(mo)過程(cheng)中的(de)(de)實時(shi)圖像用(yong)于(yu)壓印(yin)和(he)(he)脫(tuo)模(mo)(mo)的(de)(de)原位力控制可(ke)選的(de)(de)光(guang)學(xue)楔(xie)形誤差(cha)補(bu)償可(ke)選的(de)(de)自動盒帶間處(chu)理EVG®770技(ji)術(shu)數據：晶圓直(zhi)徑（基板尺(chi)寸(cun)）：100至300毫米(mi)解析(xi)度：≤50nm（分(fen)辨(bian)率取決(jue)于(yu)模(mo)(mo)板和(he)(he)工藝(yi)）支(zhi)持流程(cheng)：柔軟的(de)(de)UV-NIL曝光(guang)源：大(da)功率LED（i線）>100mW/cm2對準：頂(ding)側顯微(wei)鏡，用(yong)于(yu)實時(shi)重疊校(xiao)準≤±500nm和(he)(he)精細校(xiao)準≤±300nm手個(ge)印(yin)刷模(mo)(mo)具到(dao)模(mo)(mo)具的(de)(de)放置精度：≤1微(wei)米(mi)有效印(yin)記區域：長達50x50毫米(mi)自動分(fen)離：支(zhi)持的(de)(de)前處(chu)理：涂層：液滴分(fen)配(pei)（可(ke)選）。步進重復納米(mi)壓印(yin)光(guang)刻可(ke)以從(cong)蕞大(da)50mmx50mm的(de)(de)小(xiao)模(mo)(mo)具到(dao)蕞大(da)300mm基板尺(chi)寸(cun)的(de)(de)大(da)面積均勻復制模(mo)(mo)板。微(wei)接觸納米(mi)壓印(yin)有哪些品牌

納(na)米(mi)(mi)壓印(yin)光刻（NIL）技術(shu)EVG是(shi)納(na)米(mi)(mi)壓印(yin)光刻（NIL）設備和(he)集成工藝的(de)(de)(de)(de)市場lingxian供應(ying)(ying)商。EVG從19年前的(de)(de)(de)(de)研究方法中率先掌握了NIL，并(bing)實現了從2英寸化合物(wu)半導體晶圓(yuan)到300mm晶圓(yuan)甚至大(da)面積面板的(de)(de)(de)(de)各種尺寸基板的(de)(de)(de)(de)批量(liang)生產(chan)。NIL是(shi)產(chan)生納(na)米(mi)(mi)尺度分辨(bian)率圖(tu)案的(de)(de)(de)(de)ZUI有前途且ZUI具成本(ben)效益的(de)(de)(de)(de)工藝，可用于生物(wu)MEMS，微流體，電(dian)子學以(yi)及ZUI近各種衍(yan)射(she)光學元(yuan)件的(de)(de)(de)(de)各種商業應(ying)(ying)用。其中EVG紫(zi)外(wai)光納(na)米(mi)(mi)壓印(yin)系統(tong)型(xing)號包(bao)含：EVG®610EVG®620NTEVG®6200NTEVG®720EVG®7200EVG®7200LAHERCULES®NILEVG®770IQAligner®熱壓納(na)米(mi)(mi)壓抑系統(tong)型(xing)號包(bao)含：EVG®510HEEVG®520HE詳(xiang)細的(de)(de)(de)(de)參數，請聯系我們岱美有限(xian)公(gong)司。微接觸納(na)米(mi)(mi)壓印(yin)有哪些(xie)品牌EVG紫(zi)外(wai)光納(na)米(mi)(mi)壓印(yin)系統(tong)有： EVG?610，EVG?620NT，EVG?6200NT，EVG?720，EVG?7200等。

EVG®620NT特征：頂部和(he)(he)底(di)部對(dui)(dui)準(zhun)能力高精度(du)對(dui)(dui)準(zhun)臺自(zi)動(dong)楔形補償(chang)序列(lie)電動(dong)和(he)(he)程(cheng)(cheng)序控制的(de)(de)(de)(de)曝光間隙支持(chi)(chi)ZUI新的(de)(de)(de)(de)UV-LED技術(shu)ZUI小化系統占地面(mian)(mian)積和(he)(he)設(she)施要求分(fen)步流(liu)程(cheng)(cheng)指導遠程(cheng)(cheng)技術(shu)支持(chi)(chi)多用(yong)戶概念（無限數量的(de)(de)(de)(de)用(yong)戶帳戶和(he)(he)程(cheng)(cheng)序，可分(fen)配的(de)(de)(de)(de)訪問權限，不同的(de)(de)(de)(de)用(yong)戶界(jie)面(mian)(mian)語言）敏(min)捷(jie)處理和(he)(he)轉(zhuan)換工具臺式或帶防震花(hua)崗(gang)巖臺的(de)(de)(de)(de)單機(ji)版EVG®620NT附加功能：鍵(jian)對(dui)(dui)準(zhun)紅外(wai)對(dui)(dui)準(zhun)SmartNILμ接觸(chu)印刷技術(shu)數據晶圓(yuan)直徑(jing)（基板尺寸）標(biao)準(zhun)光刻：ZUI大150毫(hao)米(mi)的(de)(de)(de)(de)碎片柔(rou)軟(ruan)(ruan)(ruan)的(de)(de)(de)(de)UV-NIL：ZUI大150毫(hao)米(mi)的(de)(de)(de)(de)碎片SmartNIL®：在100毫(hao)米(mi)范圍解析度(du)：≤40nm（分(fen)辨率取(qu)決于模(mo)板和(he)(he)工藝）支持(chi)(chi)流(liu)程(cheng)(cheng)：軟(ruan)(ruan)(ruan)UV-NIL＆SmartNIL®曝光源：汞光源或紫外(wai)線(xian)LED光源對(dui)(dui)準(zhun)：軟(ruan)(ruan)(ruan)NIL：≤±0.5μmSmartNIL®：≤±3微米(mi)自(zi)動(dong)分(fen)離：柔(rou)紫外(wai)線(xian)NIL：不支持(chi)(chi)；SmartNIL®：支持(chi)(chi)工作(zuo)印章制作(zuo)：柔(rou)軟(ruan)(ruan)(ruan)的(de)(de)(de)(de)UV-NIL：外(wai)部：SmartNIL®：支持(chi)(chi)

UV納(na)(na)米(mi)(mi)壓印(yin)(yin)光刻EVGroup提(ti)供(gong)完整的(de)(de)(de)UV納(na)(na)米(mi)(mi)壓印(yin)(yin)光刻（UV-NIL）產(chan)品線，包(bao)括不同的(de)(de)(de)權面積壓印(yin)(yin)系統，大(da)面積壓印(yin)(yin)機，微透(tou)鏡成型設備以及用于高(gao)效母版制(zhi)作的(de)(de)(de)分步(bu)重復系統。除了(le)柔軟的(de)(de)(de)UV-NIL，EVG還提(ti)供(gong)其專有的(de)(de)(de)SmartNIL技術以及多用途(tu)的(de)(de)(de)聚合物印(yin)(yin)模技術。高(gao)效，強大(da)的(de)(de)(de)SmartNIL工藝(yi)可(ke)提(ti)供(gong)高(gao)圖案保真度，高(gao)度均(jun)勻的(de)(de)(de)圖案層(ceng)(ceng)和蕞少的(de)(de)(de)殘留層(ceng)(ceng)，并具有易于擴展的(de)(de)(de)晶圓尺寸和產(chan)量。EVG的(de)(de)(de)SmartNI技術達到了(le)納(na)(na)米(mi)(mi)壓印(yin)(yin)的(de)(de)(de)長期預期，即(ji)納(na)(na)米(mi)(mi)壓印(yin)(yin)是(shi)一種用于大(da)規模生產(chan)微米(mi)(mi)和納(na)(na)米(mi)(mi)級結構的(de)(de)(de)高(gao)性能，低(di)成本(ben)和具有批量生產(chan)能力的(de)(de)(de)技術。納(na)(na)米(mi)(mi)壓印(yin)(yin)是(shi)一種利用納(na)(na)米(mi)(mi)技術進行壓印(yin)(yin)的(de)(de)(de)方(fang)法。

SmartNIL是行業領仙的(de)NIL技術，可(ke)對小于(yu)40nm*的(de)極小特征進行圖案化(hua)，并可(ke)以對各種(zhong)(zhong)結(jie)構(gou)尺寸和(he)形(xing)狀(zhuang)進行圖案化(hua)。SmartNIL與(yu)多用途軟(ruan)戳技術相結(jie)合，可(ke)實現無人(ren)能比的(de)吞吐量，并具有(you)(you)(you)顯著的(de)擁有(you)(you)(you)成本(ben)(ben)優勢(shi)，同時保留了可(ke)擴展性和(he)易于(yu)維(wei)護的(de)操作。EVG的(de)SmartNIL兌現了納(na)米壓(ya)印(yin)的(de)長期(qi)前景，即納(na)米壓(ya)印(yin)是一種(zhong)(zhong)用于(yu)大規模制造(zao)微(wei)米級和(he)納(na)米級結(jie)構(gou)的(de)低成本(ben)(ben)，大批量替代光(guang)(guang)刻技術。*分辨(bian)率(lv)取決于(yu)過程和(he)模板(ban)如果需(xu)要詳細的(de)信息，請聯系(xi)岱美儀器(qi)技術服務有(you)(you)(you)限公司。EVG620 NT支持(chi)多種(zhong)(zhong)標準(zhun)光(guang)(guang)刻工藝，例如真空，軟(ruan)，硬和(he)接近曝光(guang)(guang)模式，以及背面(mian)對準(zhun)選項(xiang)。微(wei)接觸納(na)米壓(ya)印(yin)有(you)(you)(you)哪些品牌

分步重復(fu)刻印(yin)(yin)通(tong)常用于(yu)高(gao)效制造晶圓(yuan)級(ji)光學器件或(huo)EVG的Smart NIL工藝所需的母版(ban)。微接觸納米壓印(yin)(yin)有(you)哪些品牌

納米(mi)壓(ya)印光(guang)刻設備-處(chu)理結(jie)果：新(xin)應用程序(xu)的(de)(de)(de)(de)開發(fa)通(tong)常與(yu)設備功能(neng)的(de)(de)(de)(de)提高緊(jin)密相(xiang)關(guan)。EVG的(de)(de)(de)(de)NIL解決方(fang)案能(neng)夠(gou)產生(sheng)具有(you)(you)納米(mi)分辨率的(de)(de)(de)(de)多(duo)種不(bu)同尺(chi)寸和形(xing)狀(zhuang)的(de)(de)(de)(de)圖(tu)案，并在(zai)顯示器(qi)，生(sheng)物技術和光(guang)子(zi)應用中(zhong)實現了許多(duo)新(xin)的(de)(de)(de)(de)創新(xin)。HRISmartNIL®壓(ya)印上的(de)(de)(de)(de)單(dan)個像素的(de)(de)(de)(de)1.AFM圖(tu)像壓(ya)印全(quan)息結(jie)構(gou)(gou)的(de)(de)(de)(de)AFM圖(tu)像資(zi)(zi)(zi)料(liao)來(lai)(lai)源(yuan)：EVG與(yu)SwissLithoAG合作（歐(ou)盟項目SNM）2.通(tong)過熱壓(ya)花在(zai)PMMA中(zhong)復制(zhi)微(wei)流控芯片(pian)資(zi)(zi)(zi)料(liao)來(lai)(lai)源(yuan)：EVG3.高縱橫比（7：1）的(de)(de)(de)(de)10μm柱陣(zhen)列由加拿大國家研究委員會提供4.L/S光(guang)柵具有(you)(you)優化的(de)(de)(de)(de)殘留(liu)層，厚度約為10nm資(zi)(zi)(zi)料(liao)來(lai)(lai)源(yuan)：EVG5.紫外(wai)線成(cheng)型鏡片(pian)300μm資(zi)(zi)(zi)料(liao)來(lai)(lai)源(yuan)：EVG6.光(guang)子(zi)晶(jing)(jing)體用于LED的(de)(de)(de)(de)光(guang)提取多(duo)晶(jing)(jing)硅的(de)(de)(de)(de)蜂(feng)窩織構(gou)(gou)化（mc-Si）由FraunhoferISE提供7.金字(zi)塔形(xing)結(jie)構(gou)(gou)50μm資(zi)(zi)(zi)料(liao)來(lai)(lai)源(yuan)：EVG8.蕞小(xiao)尺(chi)寸的(de)(de)(de)(de)光(guang)模塊晶(jing)(jing)圓級封裝資(zi)(zi)(zi)料(liao)來(lai)(lai)源(yuan)：EVG9.光(guang)子(zi)帶隙傳感器(qi)光(guang)柵 資(zi)(zi)(zi)料(liao)來(lai)(lai)源(yuan)：EVG（歐(ou)盟Saphely項目）10.在(zai)強光(guang)照射(she)下對HRISmartNIL®烙印進行完整的(de)(de)(de)(de)晶(jing)(jing)圓照相(xiang) 資(zi)(zi)(zi)料(liao)來(lai)(lai)源(yuan)：EVG微(wei)接(jie)觸納米(mi)壓(ya)印有(you)(you)哪些品牌

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