HJT:未來增長(chang)潛力(li)無(wu)限異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(jie)電(dian)池(chi)(chi)(chi)作為(wei)(wei)(wei)N型(xing)單晶(jing)(jing)雙面電(dian)池(chi)(chi)(chi)的(de)(de)一員，早由日本(ben)(ben)(ben)三洋(yang)公司于(yu)(yu)(yu)1990年成功研發(fa)。2015年，三洋(yang)關(guan)(guan)于(yu)(yu)(yu)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(jie)的(de)(de)**保護結(jie)(jie)束，行業迎來大發(fa)展(zhan)時期。異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(jie)電(dian)池(chi)(chi)(chi)的(de)(de)特性包括以下幾(ji)點(dian)(dian):優點(dian)(dian):(a)工(gong)藝(yi)流(liu)程(cheng)短，工(gong)序少;(b)無(wu)光致衰(shuai)減(jian);(c)雙面發(fa)電(dian);(d)采(cai)用(yong)低溫工(gong)藝(yi)從(cong)而熱耗減(jian)少;(e)對稱結(jie)(jie)構更利(li)于(yu)(yu)(yu)薄片化(hua).待改(gai)進點(dian)(dian):(a)雖(sui)然電(dian)池(chi)(chi)(chi)效(xiao)率相較于(yu)(yu)(yu)P型(xing)電(dian)池(chi)(chi)(chi)具有優勢，但初期投資成本(ben)(ben)(ben)過高。目前(qian)，異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(jie)單位投資額約為(wei)(wei)(wei)10億元/GW，同期PERC為(wei)(wei)(wei)4億元左右。(b)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(jie)電(dian)池(chi)(chi)(chi)的(de)(de)生(sheng)產設(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)與現有常規晶(jing)(jing)硅(gui)電(dian)池(chi)(chi)(chi)不(bu)兼容。(c)無(wu)法采(cai)用(yong)常規晶(jing)(jing)硅(gui)電(dian)池(chi)(chi)(chi)的(de)(de)后續高溫封(feng)(feng)裝工(gong)藝(yi)，取而代之的(de)(de)為(wei)(wei)(wei)低溫組件(jian)封(feng)(feng)裝工(gong)藝(yi)。異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(jie)電(dian)池(chi)(chi)(chi)生(sheng)產工(gong)序包括:硅(gui)片→清洗(xi)→制(zhi)絨(rong)→正面沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)非(fei)晶(jing)(jing)硅(gui)薄膜(mo)(mo)(mo)(mo)→背面沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)非(fei)晶(jing)(jing)硅(gui)薄膜(mo)(mo)(mo)(mo)→正反面沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)TCO薄膜(mo)(mo)(mo)(mo)→絲網印刷電(dian)極→邊緣隔離→測試。概括來說，主(zhu)要(yao)的(de)(de)四個工(gong)藝(yi)步驟(zou)為(wei)(wei)(wei):制(zhi)絨(rong)清洗(xi)→非(fei)晶(jing)(jing)硅(gui)薄膜(mo)(mo)(mo)(mo)沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)→TCO制(zhi)備(bei)(bei)(bei)(bei)→電(dian)極制(zhi)備(bei)(bei)(bei)(bei)。其(qi)中(zhong)，非(fei)晶(jing)(jing)硅(gui)薄膜(mo)(mo)(mo)(mo)沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)、TCO制(zhi)備(bei)(bei)(bei)(bei)工(gong)藝(yi)要(yao)求(qiu)較高，目前(qian)以海外供應商(shang)為(wei)(wei)(wei)主(zhu)。非(fei)晶(jing)(jing)硅(gui)薄膜(mo)(mo)(mo)(mo)沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)領域:主(zhu)要(yao)用(yong)到的(de)(de)設(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)為(wei)(wei)(wei)等離子化(hua)學氣相沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)(PECVD)與熱絲化(hua)學氣相沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)(Cat-CVD/HWCVD)。非(fei)晶(jing)(jing)硅(gui)沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)設(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)主(zhu)流(liu)供應商(shang)包括美國應用(yong)材(cai)料、瑞士梅耶博格、韓國周星(xing)、日本(ben)(ben)(ben)愛發(fa)科、日本(ben)(ben)(ben)真空等。半導體設(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)進口(kou)(kou)報關(guan)(guan)需要(yao)注意風險控制(zhi)。青(qing)島(dao)有名(ming)的(de)(de)半導體設(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)進口(kou)(kou)報關(guan)(guan)誠(cheng)信推薦

濕法(fa)(fa)(fa)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei):預計至(zhi)(zhi)2020年(nian)全(quan)(quan)球(qiu)規(gui)模(mo)提升(sheng)至(zhi)(zhi)37億美(mei)元濕法(fa)(fa)(fa)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)分為(wei)槽式濕法(fa)(fa)(fa)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)與單(dan)片式濕法(fa)(fa)(fa)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)，由于集成電路線寬的(de)(de)不斷縮小，單(dan)片式濕法(fa)(fa)(fa)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)成為(wei)主(zhu)流。濕法(fa)(fa)(fa)晶(jing)圓(yuan)清(qing)(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)指通過(guo)離子水、清(qing)(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)機等(deng)清(qing)(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)晶(jing)圓(yuan)表面(mian)并隨之濕潤再干(gan)燥，為(wei)主(zhu)流的(de)(de)清(qing)(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)方法(fa)(fa)(fa)。構(gou)成來看，濕法(fa)(fa)(fa)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)包(bao)括(kuo)主(zhu)要包(bao)括(kuo)清(qing)(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)、去膠(jiao)機、濕法(fa)(fa)(fa)刻蝕機。半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)加(jia)工(gong)環(huan)節中(zhong)，清(qing)(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)占(zhan)總工(gong)序超過(guo)三成。市(shi)(shi)場(chang)規(gui)模(mo):根據SEMI的(de)(de)統計數據，2017年(nian)全(quan)(quan)球(qiu)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)清(qing)(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)市(shi)(shi)場(chang)規(gui)模(mo)為(wei)，較2016年(nian)增長(chang)，預計至(zhi)(zhi)2020年(nian)將(jiang)進一步提升(sheng)至(zhi)(zhi)37億美(mei)元。VLSI的(de)(de)數據顯示，2018年(nian)全(quan)(quan)球(qiu)前道(dao)單(dan)片式清(qing)(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)銷(xiao)售額為(wei)，預計至(zhi)(zhi)2023年(nian)將(jiang)提升(sheng)至(zhi)(zhi)。通常，清(qing)(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)占(zhan)晶(jing)圓(yuan)加(jia)工(gong)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)總投資約(yue)5%~6%。競爭(zheng)格局:濕法(fa)(fa)(fa)清(qing)(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)領域，全(quan)(quan)球(qiu)主(zhu)要包(bao)括(kuo)日本迪恩士(DainipponScreen)、日本東(dong)京電子(TokyoElectronLimited)、美(mei)國(guo)(guo)泛林半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(LamResearch)等(deng)，其中(zhong)，SCREEN全(quan)(quan)球(qiu)市(shi)(shi)占(zhan)率(lv)(lv)約(yue)60%，行(xing)業市(shi)(shi)占(zhan)率(lv)(lv)達。國(guo)(guo)內(nei)企業方面(mian)，主(zhu)要包(bao)括(kuo)盛美(mei)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)、北方華創(chuang)、屹唐半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)等(deng)。其中(zhong)，盛美(mei)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)基于SAPS與TEBO技(ji)術的(de)(de)單(dan)片清(qing)(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)銷(xiao)量，其2017年(nian)全(quan)(quan)球(qiu)市(shi)(shi)占(zhan)率(lv)(lv)約(yue)，其在(zai)刻蝕、快(kuai)速(su)熱處理(RTP)、光刻膠(jiao)剝離與清(qing)(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)等(deng)領域擁(yong)有技(ji)術優勢。蘇(su)州提供半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)進口報關(guan)(guan)打包(bao)運輸進口二手半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)報關(guan)(guan)的(de)(de)事項。

公司專注于制造(zao)裝備(bei)進(jin)(jin)(jin)(jin)口(kou)(kou)物(wu)流(liu)(liu)(liu)(liu)報(bao)關(guan)，其中半(ban)導(dao)體芯片(pian)制造(zao)設(she)備(bei)和(he)封裝設(she)備(bei)設(she)備(bei)（包(bao)含電(dian)池片(pian)光伏設(she)備(bei)，LCD面板(ban)加工設(she)備(bei)等(deng)）占比公司整(zheng)個進(jin)(jin)(jin)(jin)口(kou)(kou)業(ye)務量的(de)(de)(de)(de)30%；由(you)于該設(she)備(bei)的(de)(de)(de)(de)價值高，精密度高，所以在(zai)引進(jin)(jin)(jin)(jin)國外進(jin)(jin)(jin)(jin)口(kou)(kou)設(she)備(bei)的(de)(de)(de)(de)同時，選擇進(jin)(jin)(jin)(jin)口(kou)(kou)物(wu)流(liu)(liu)(liu)(liu)報(bao)關(guan)服務商也是非常重(zhong)要(yao)而(er)(er)關(guan)鍵的(de)(de)(de)(de)一環，因為一個好(hao)的(de)(de)(de)(de)進(jin)(jin)(jin)(jin)口(kou)(kou)解決方案不論在(zai)物(wu)流(liu)(liu)(liu)(liu)時間，運輸方式，安(an)全性，通(tong)關(guan)時效等(deng)，都(dou)(dou)能(neng)給企業(ye)帶來整(zheng)個進(jin)(jin)(jin)(jin)口(kou)(kou)便(bian)利。說到IC半(ban)導(dao)體，中美貿易戰等(deng)都(dou)(dou)是當前熱(re)門，當前中國高速發展的(de)(de)(de)(de)時代，我(wo)們(men)在(zai)自主芯片(pian)的(de)(de)(de)(de)研發以及智能(neng)裝備(bei)有了飛躍的(de)(de)(de)(de)進(jin)(jin)(jin)(jin)步，而(er)(er)“萬享(xiang)”在(zai)進(jin)(jin)(jin)(jin)口(kou)(kou)物(wu)流(liu)(liu)(liu)(liu)報(bao)關(guan)也跟隨著行業(ye)的(de)(de)(de)(de)腳步，幫助國內眾(zhong)多的(de)(de)(de)(de)企業(ye)完成設(she)備(bei)進(jin)(jin)(jin)(jin)口(kou)(kou)程序，這(zhe)中間不缺乏像上海/無錫/南京(jing)/合肥/武(wu)漢/重(zhong)慶/江西/寧波/青島等(deng)地的(de)(de)(de)(de)半(ban)導(dao)體以及LCD面板(ban)企業(ye)。

總體(ti)(ti)空間:我(wo)國(guo)已(yi)(yi)(yi)具備(bei)(bei)整線供應能(neng)力太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)光(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)設(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)主(zhu)要包括硅(gui)(gui)(gui)棒(bang)/硅(gui)(gui)(gui)錠制(zhi)造(zao)(zao)設(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)、硅(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)/硅(gui)(gui)(gui)晶圓制(zhi)造(zao)(zao)設(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)、電(dian)池(chi)片(pian)(pian)制(zhi)造(zao)(zao)設(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)、晶體(ti)(ti)硅(gui)(gui)(gui)電(dian)池(chi)組(zu)件制(zhi)造(zao)(zao)設(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)、薄膜組(zu)件制(zhi)造(zao)(zao)設(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)，其中(zhong)，硅(gui)(gui)(gui)材料與(yu)電(dian)池(chi)/組(zu)件制(zhi)造(zao)(zao)設(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)價(jia)值占比(bi)(bi)較高(gao)。我(wo)國(guo)已(yi)(yi)(yi)具備(bei)(bei)太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)池(chi)制(zhi)造(zao)(zao)整線供應能(neng)力，光(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)設(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)國(guo)產(chan)(chan)化(hua)率達(da)到(dao)90%左右，其中(zhong)，單晶爐、硅(gui)(gui)(gui)棒(bang)切(qie)斷機、硅(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)清洗機、甩干機、擴散爐等設(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)已(yi)(yi)(yi)完成進口(kou)替代。全(quan)球(qiu)市場規模(mo):近(jin)年(nian)(nian)來全(quan)球(qiu)光(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)設(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)行業(ye)(ye)實現(xian)穩健(jian)增(zeng)(zeng)長(chang)。在歷經多年(nian)(nian)高(gao)增(zeng)(zeng)長(chang)后，2012年(nian)(nian)全(quan)球(qiu)光(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)設(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)行業(ye)(ye)銷(xiao)售規模(mo)出現(xian)斷崖式下滑，從上年(nian)(nian)同期的130億(yi)(yi)美(mei)元下探至36億(yi)(yi)美(mei)元，同比(bi)(bi)下降。2013年(nian)(nian)以來，行業(ye)(ye)自(zi)低位(wei)穩健(jian)復蘇，截止至2018年(nian)(nian)，全(quan)球(qiu)光(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)設(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)實現(xian)銷(xiao)售收入(ru)48億(yi)(yi)美(mei)元，較上年(nian)(nian)同期增(zeng)(zeng)長(chang)。國(guo)內市場規模(mo):國(guo)內光(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)設(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)行業(ye)(ye)有(you)望加速增(zeng)(zeng)長(chang)。回顧2018年(nian)(nian)，上半(ban)年(nian)(nian)行業(ye)(ye)維持2017年(nian)(nian)以來的高(gao)速增(zeng)(zeng)長(chang)態勢，受“531”新政(zheng)影響，下半(ban)年(nian)(nian)放緩的增(zeng)(zeng)速對(dui)全(quan)年(nian)(nian)有(you)一定拖(tuo)累。整體(ti)(ti)來看，2018年(nian)(nian)國(guo)內光(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)設(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)行業(ye)(ye)實現(xian)營業(ye)(ye)收入(ru)，同比(bi)(bi)增(zeng)(zeng)長(chang)，主(zhu)要受益于硅(gui)(gui)(gui)棒(bang)/硅(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)環(huan)節的單晶產(chan)(chan)能(neng)升(sheng)級(ji)，電(dian)池(chi)片(pian)(pian)環(huan)節的PERC產(chan)(chan)能(neng)升(sheng)級(ji)。預計至2020年(nian)(nian)，我(wo)國(guo)光(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)設(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)銷(xiao)售規模(mo)有(you)望達(da)到(dao)95億(yi)(yi)元。競爭格局:光(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)設(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)國(guo)產(chan)(chan)化(hua)率已(yi)(yi)(yi)突破90%，企(qi)業(ye)(ye)具備(bei)(bei)全(quan)球(qiu)性競爭力。進口(kou)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)上海清關(guan)(guan)公司，上海半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)光(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)展會，提(ti)供半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)報關(guan)(guan)公司。

細分(fen)(fen)環(huan)節設(she)備均被(bei)海(hai)外公(gong)司寡頭壟斷1）光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)機市(shi)場(chang)規模(mo)約160億(yi)美元，3大擁有(you)(you)(you)95%市(shi)場(chang)。國(guo)外EUV光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)機為(wei)(wei)ASML、尼康、佳能等，ASML為(wei)(wei)已能夠實(shi)現前道(dao)5nm光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)。上(shang)海(hai)微電(dian)子(zi)(zi)(zi)是國(guo)內前列的(de)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)機制(zhi)造商(shang)(shang)，公(gong)司封裝光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)機國(guo)內市(shi)占率80%，全(quan)(quan)球40%，光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)機實(shi)現90nm制(zhi)程，并有(you)(you)(you)望延伸至65nm和(he)(he)45nm，公(gong)司承擔多個國(guo)家重大科技專項(xiang)及02專項(xiang)任務(wu)。2）刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)設(she)備市(shi)場(chang)規模(mo)約115億(yi)美金，海(hai)外大供應商(shang)(shang)擁有(you)(you)(you)94%市(shi)場(chang)份(fen)額(e)(e)。在(zai)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)制(zhi)造中(zhong)(zhong)(zhong)有(you)(you)(you)兩(liang)種基本的(de)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)工藝：濕(shi)法(fa)腐蝕(shi)和(he)(he)干法(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)，目(mu)前全(quan)(quan)球主(zhu)(zhu)(zhu)流(liu)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)工藝為(wei)(wei)干法(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)。在(zai)濕(shi)法(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)中(zhong)(zhong)(zhong)，液體(ti)化學試(shi)劑以(yi)化學方式去除硅(gui)片表(biao)面的(de)材(cai)料(liao)。濕(shi)法(fa)腐蝕(shi)一(yi)般只是用在(zai)尺寸較大的(de)情況下(xia)（大于3微米）。干法(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)是把硅(gui)片表(biao)面曝露于氣態中(zhong)(zhong)(zhong)產(chan)生(sheng)的(de)等離子(zi)(zi)(zi)體(ti)，等離子(zi)(zi)(zi)體(ti)通過光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)中(zhong)(zhong)(zhong)開出的(de)窗口，與硅(gui)片發生(sheng)物理(li)或化學反應，從而去掉曝露的(de)表(biao)面材(cai)料(liao)。刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)也可以(yi)根據被(bei)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)的(de)材(cai)料(liao)類(lei)(lei)型來分(fen)(fen)類(lei)(lei)，主(zhu)(zhu)(zhu)要(yao)分(fen)(fen)成三種：金屬刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)、介(jie)質刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)、和(he)(he)硅(gui)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)，其中(zhong)(zhong)(zhong)介(jie)質刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)和(he)(he)硅(gui)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)為(wei)(wei)主(zhu)(zhu)(zhu)流(liu)。目(mu)前全(quan)(quan)球硅(gui)基刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)主(zhu)(zhu)(zhu)要(yao)廠商(shang)(shang)為(wei)(wei)Lam(泛林集團)和(he)(he)AMAT(應用材(cai)料(liao))，兩(liang)者(zhe)擁有(you)(you)(you)97%的(de)市(shi)場(chang)份(fen)額(e)(e)，介(jie)質刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)主(zhu)(zhu)(zhu)要(yao)廠商(shang)(shang)為(wei)(wei)TEL(東京電(dian)子(zi)(zi)(zi))和(he)(he)Lam(泛林集團)，擁有(you)(you)(you)97%的(de)市(shi)場(chang)份(fen)額(e)(e)。中(zhong)(zhong)(zhong)微半(ban)(ban)導(dao)體(ti)是打入臺積(ji)電(dian)7nm制(zhi)程的(de)中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)設(she)備商(shang)(shang)。報(bao)關(guan)(guan)代理(li)公(gong)司需要(yao)具備豐富的(de)經(jing)驗和(he)(he)專業(ye)的(de)知(zhi)識。杭(hang)州(zhou)有(you)(you)(you)名的(de)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)設(she)備進(jin)口報(bao)關(guan)(guan)有(you)(you)(you)哪些

半(ban)導體(ti)設備(bei)進口(kou)報(bao)(bao)關(guan)是一個相對復雜(za)的(de)過程，需要企業(ye)認(ren)真對待(dai)。青島有名的(de)半(ban)導體(ti)設備(bei)進口(kou)報(bao)(bao)關(guan)誠(cheng)信推(tui)薦(jian)

公司承(cheng)擔多個國(guo)(guo)(guo)家(jia)(jia)重(zhong)大(da)科(ke)(ke)技專項及02專項任(ren)務。刻蝕設(she)(she)備：家(jia)(jia)廠(chang)(chang)商(shang)(shang)(shang)LAM、東(dong)(dong)京(jing)電(dian)子(zi)(zi)、應用材料市占率超過90%，國(guo)(guo)(guo)產刻蝕機市占率6%，中(zhong)(zhong)微半導(dao)體(ti)是打(da)入(ru)臺積電(dian)7nm制程的中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)(guo)設(she)(she)備商(shang)(shang)(shang)，北(bei)方(fang)華創(chuang)的8英寸(cun)等離子(zi)(zi)蝕刻機進(jin)入(ru)中(zhong)(zhong)芯國(guo)(guo)(guo)際，封(feng)裝(zhuang)環節刻蝕機基本(ben)實現國(guo)(guo)(guo)產化，國(guo)(guo)(guo)產化率近90%。鍍膜設(she)(she)備：分(fen)為PVD和CVD，其中(zhong)(zhong)PVD大(da)廠(chang)(chang)商(shang)(shang)(shang)AMAT、Evatec、Ulvac占比，CVD三大(da)廠(chang)(chang)商(shang)(shang)(shang)AMAT、TEL、LAM占比70%，國(guo)(guo)(guo)內(nei)廠(chang)(chang)商(shang)(shang)(shang)北(bei)方(fang)華創(chuang)實現28nmPVD設(she)(she)備的突(tu)破，16年國(guo)(guo)(guo)內(nei)市占率已(yi)經(jing)有(you)10%，封(feng)裝(zhuang)設(she)(she)備中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)(guo)產PVD市占率接(jie)近70%。CVD中(zhong)(zhong)的MOCVD是國(guo)(guo)(guo)產化晚(wan)的領域(yu)，目前已(yi)有(you)20%的國(guo)(guo)(guo)產化率。量測(ce)(ce)(ce)設(she)(she)備：主要(yao)包括(kuo)自(zi)動檢測(ce)(ce)(ce)設(she)(she)備（ATE）、分(fen)選機、探針臺等。前端檢測(ce)(ce)(ce)甲(jia)廠(chang)(chang)商(shang)(shang)(shang)科(ke)(ke)磊、應材、日立占比72%，后道測(ce)(ce)(ce)試設(she)(she)備廠(chang)(chang)商(shang)(shang)(shang)美(mei)國(guo)(guo)(guo)泰瑞達(da)、日本(ben)愛(ai)德萬占全球(qiu)份額(e)64%，分(fen)選機廠(chang)(chang)商(shang)(shang)(shang)科(ke)(ke)林、愛(ai)德萬、愛(ai)普生等市占率高達(da)70%，而探針臺基本(ben)由東(dong)(dong)京(jing)精(jing)密、東(dong)(dong)京(jing)電(dian)子(zi)(zi)、SEMES壟(long)斷。國(guo)(guo)(guo)內(nei)廠(chang)(chang)商(shang)(shang)(shang)長川科(ke)(ke)技測(ce)(ce)(ce)試設(she)(she)備主要(yao)在(zai)中(zhong)(zhong)低端市場(chang)，主要(yao)在(zai)數模混合(he)測(ce)(ce)(ce)試機和功率測(ce)(ce)(ce)試機。青島(dao)有(you)名的半導(dao)體(ti)設(she)(she)備進(jin)口報關(guan)誠信推(tui)薦

本文(wen)來自沈陽喜納多采暖工(gong)程有限公司：//zjlong.cn/Article/50e399648.html