有人研究了(le)不(bu)(bu)同(tong)有機配體(ti)對此(ci)類(lei)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)性能(neng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)影(ying)響(xiang)。有機配體(ti)會(hui)影(ying)響(xiang)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)靈(ling)敏度(du)。通過配體(ti)交換法，他們制備(bei)了(le)反二甲基丙烯酸（DMA）和(he)鄰甲基苯(ben)甲酸（TA）配體(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)HfO2、ZrO2體(ti)系(xi)。其中HfO2-DMA和(he)ZrO2-DMA體(ti)系(xi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)靈(ling)敏度(du)較高，為1.6~2.4mJ·cm?2，可(ke)實現20nm線寬的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)圖(tu)案。此(ci)外，配體(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)種(zhong)類(lei)還(huan)將影(ying)響(xiang)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)溶(rong)解性。Li等報(bao)道了(le)不(bu)(bu)同(tong)濃度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)不(bu)(bu)同(tong)羧(suo)酸與ZrO2或HfO2配合之后(hou)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)溶(rong)解度(du)變(bian)化情況(kuang)，發(fa)現不(bu)(bu)飽和(he)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)羧(suo)酸配體(ti)能(neng)獲(huo)得更(geng)大的(de)(de)(de)(de)(de)(de)溶(rong)解性差異。光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)所屬的(de)(de)(de)(de)(de)(de)微電(dian)子(zi)化學(xue)品是(shi)電(dian)子(zi)行業(ye)與化工行業(ye)交叉的(de)(de)(de)(de)(de)(de)領(ling)域，是(shi)典型的(de)(de)(de)(de)(de)(de)技術密集行業(ye)。蘇州(zhou)g線光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)單體(ti)

2005年，研究人員利用(yong)美國光(guang)(guang)源的(de)(de)高數值(zhi)孔徑(jing)微觀曝光(guang)(guang)工具評(ping)價了RohmandHaas公司研發的(de)(de)新(xin)型ESCAP光(guang)(guang)刻(ke)膠MET-1K，并(bing)將其與先(xian)前的(de)(de)EUV-2D光(guang)(guang)刻(ke)膠相比較。與EUV-2D相比，MET-1K添加了更多的(de)(de)防(fang)酸(suan)擴散劑。使用(yong)0.3NA的(de)(de)EUV曝光(guang)(guang)工具，在(zai)90~50nm區間(jian)，EUV-2D和MET-1K的(de)(de)圖形質量都(dou)比較好；但當線(xian)寬小于50nm時，EUV-2D出現明顯(xian)的(de)(de)線(xian)條坍(tan)塌現象，而MET-1K則直到(dao)35nm線(xian)寬都(dou)能保(bao)持線(xian)條完整。在(zai)45nm線(xian)寬時，MET-1K仍(reng)能獲得較好的(de)(de)粗糙(cao)度，LER達(da)到(dao)6.3nm。可見MET-1K的(de)(de)光(guang)(guang)刻(ke)性能要優于EUV-2D。從此，MET-1K逐漸代(dai)替EUV-2D，成(cheng)為(wei)新(xin)的(de)(de)EUV光(guang)(guang)刻(ke)設備測試用(yong)光(guang)(guang)刻(ke)膠。浙江LCD觸摸(mo)屏用(yong)光(guang)(guang)刻(ke)膠光(guang)(guang)刻(ke)膠按應用(yong)領域分類，可分為(wei) PCB 光(guang)(guang)刻(ke)膠、顯(xian)示面板光(guang)(guang)刻(ke)膠、半導體光(guang)(guang)刻(ke)膠及(ji)其他光(guang)(guang)刻(ke)膠。

2005 年(nian)起(qi)，Gonsalves 課題(ti)組(zu)(zu)將(jiang)陽離子基團（硫鎓鹽等(deng)）修飾的(de)(de)(de)甲基丙烯酸(suan)酯與(yu)其他光(guang)(guang)刻膠單體共聚，制備了(le)(le)一(yi)系列側(ce)基連接(jie)(jie)光(guang)(guang)致產酸(suan)劑(ji)(ji)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)刻膠，聚合(he)物中金剛(gang)烷基團的(de)(de)(de)引(yin)入可以有效提升(sheng)抗刻蝕性。這類材(cai)(cai)料與(yu)主(zhu)體材(cai)(cai)料和(he)產酸(suan)劑(ji)(ji)簡單共混的(de)(de)(de)配方(fang)相比，呈現(xian)出(chu)更高(gao)(gao)的(de)(de)(de)靈敏度和(he)對比度。2009年(nian)起(qi)，Thackeray等(deng)則將(jiang)陰(yin)離子基團連接(jie)(jie)在高(gao)(gao)分(fen)(fen)子主(zhu)鏈(lian)上，通過EUV曝光(guang)(guang)可以得(de)到的(de)(de)(de)光(guang)(guang)刻圖形分(fen)(fen)辨(bian)率(lv)為(wei)(wei)22nm光(guang)(guang)刻圖形，其對應的(de)(de)(de)靈敏度和(he)線邊緣粗(cu)糙(cao)度分(fen)(fen)別為(wei)(wei)12mJ·cm?2和(he)4.2nm。2011年(nian)，日本富(fu)士膠片(pian)的(de)(de)(de)Tamaoki等(deng)也報道(dao)了(le)(le)一(yi)系列對羥基苯乙烯型(xing)主(zhu)鏈(lian)鍵合(he)光(guang)(guang)致產酸(suan)劑(ji)(ji)的(de)(de)(de)高(gao)(gao)分(fen)(fen)子光(guang)(guang)刻膠，并(bing)研究了(le)(le)不同產酸(suan)劑(ji)(ji)基團、高(gao)(gao)分(fen)(fen)子組(zu)(zu)成(cheng)對分(fen)(fen)辨(bian)率(lv)、靈敏度和(he)粗(cu)糙(cao)度的(de)(de)(de)影響，最高(gao)(gao)分(fen)(fen)辨(bian)率(lv)可達17.5nm。

所(suo)謂光(guang)(guang)刻技(ji)術(shu)，指的(de)(de)(de)(de)(de)是(shi)利用光(guang)(guang)化學(xue)反應原(yuan)理把事先準備在掩模版上的(de)(de)(de)(de)(de)圖形(xing)轉印(yin)到一(yi)個(ge)襯底（晶圓）上，使選擇性的(de)(de)(de)(de)(de)刻蝕(shi)和(he)離子(zi)(zi)注入成(cheng)(cheng)為可能的(de)(de)(de)(de)(de)過程，是(shi)半(ban)導(dao)體制造(zao)(zao)(zao)業(ye)(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)基礎之一(yi)。隨著半(ban)導(dao)體制造(zao)(zao)(zao)業(ye)(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)(fa)展，光(guang)(guang)刻技(ji)術(shu)從曝光(guang)(guang)波長上來區(qu)分，先后經歷了(le)g線(xian)（436nm）、i線(xian)（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm，包括干式和(he)浸(jin)沒式）和(he)極(ji)紫(zi)外（EUV，13.5nm）光(guang)(guang)刻。對應于不同的(de)(de)(de)(de)(de)曝光(guang)(guang)波長，所(suo)使用的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)刻膠(jiao)也得到了(le)不斷的(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)(fa)展。目前7nm和(he)5nm技(ji)術(shu)節點(dian)已(yi)經到來，根據各個(ge)技(ji)術(shu)的(de)(de)(de)(de)(de)芯片制造(zao)(zao)(zao)企業(ye)(ye)公告，EUV光(guang)(guang)刻技(ji)術(shu)已(yi)正式導(dao)入集成(cheng)(cheng)電路制造(zao)(zao)(zao)工藝(yi)。在每一(yi)代(dai)的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)刻技(ji)術(shu)中，光(guang)(guang)刻膠(jiao)都是(shi)實現光(guang)(guang)刻過程的(de)(de)(de)(de)(de)關鍵材(cai)料之一(yi)。光(guang)(guang)刻膠(jiao)也稱(cheng)為光(guang)(guang)致抗蝕(shi)劑，是(shi)一(yi)種光(guang)(guang)敏材(cai)料，受到光(guang)(guang)照后特性會(hui)發(fa)(fa)生改變，主要應用于電子(zi)(zi)工業(ye)(ye)和(he)印(yin)刷工業(ye)(ye)領域。

由(you)于(yu)(yu)(yu)EUV光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)膜較薄，通常小于(yu)(yu)(yu)100nm，對于(yu)(yu)(yu)精細的(de)(de)線條(tiao)，甚至不足(zu)50nm，因此(ci)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)頂部(bu)(bu)與底部(bu)(bu)的(de)(de)光(guang)(guang)強差異便顯得(de)不那么重要(yao)了(le)(le)。而很(hen)長(chang)一(yi)(yi)段時間以來，限制(zhi)EUV光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)發展的(de)(de)都是(shi)光(guang)(guang)源功率太(tai)低，因此(ci)研發人員開始(shi)反(fan)過來選用(yong)對EUV光(guang)(guang)吸收更強的(de)(de)元(yuan)素來構建光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)主體材(cai)料(liao)。于(yu)(yu)(yu)是(shi)，一(yi)(yi)系列(lie)含有金屬(shu)的(de)(de)EUV光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)得(de)到了(le)(le)發展，其中含金屬(shu)納(na)米(mi)(mi)顆(ke)(ke)粒(li)(li)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)是(shi)其中的(de)(de)典型(xing)。2010年，Ober課題(ti)(ti)組和Giannelis課題(ti)(ti)組首度報道了(le)(le)基于(yu)(yu)(yu)HfO2的(de)(de)金屬(shu)納(na)米(mi)(mi)顆(ke)(ke)粒(li)(li)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)，并研究了(le)(le)其作為(wei)193nm光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)和電(dian)子束光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)可能性。隨后，他們(men)(men)將這一(yi)(yi)體系用(yong)于(yu)(yu)(yu)EUV光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)，并將氧化物種類拓寬(kuan)至ZrO2。他們(men)(men)以異丙醇鉿（或鋯）和甲基丙烯酸（MAA）為(wei)原料(liao)，通過溶膠(jiao)(jiao)(jiao)-凝膠(jiao)(jiao)(jiao)法制(zhi)備了(le)(le)穩(wen)定的(de)(de)粒(li)(li)徑在(zai)2~3nm的(de)(de)核-殼結構納(na)米(mi)(mi)顆(ke)(ke)粒(li)(li)。納(na)米(mi)(mi)顆(ke)(ke)粒(li)(li)以HfO2或ZrO2為(wei)核，具有很(hen)高(gao)的(de)(de)抗刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕性和對EUV光(guang)(guang)的(de)(de)吸收能力；而有機(ji)酸殼層不但是(shi)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)曝(pu)光(guang)(guang)前后溶解度改變(bian)的(de)(de)關鍵，還(huan)能使納(na)米(mi)(mi)顆(ke)(ke)粒(li)(li)穩(wen)定地分散于(yu)(yu)(yu)溶劑之(zhi)中，確保(bao)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)成(cheng)膜性。ZrO2-MAA納(na)米(mi)(mi)材(cai)料(liao)加(jia)入自由(you)基引發劑后可實現(xian)負性光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)，在(zai)4.2mJ·cm?2的(de)(de)劑量下獲得(de)22nm寬(kuan)的(de)(de)線條(tiao)；而加(jia)入光(guang)(guang)致(zhi)產(chan)酸劑曝(pu)光(guang)(guang)并后烘，利用(yong)TMAH顯影則可實現(xian)正(zheng)性光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)。目前，我(wo)國光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)自給率較低，生(sheng)產(chan)也主要(yao)集(ji)中在(zai)中低端產(chan)品，國產(chan)替(ti)代的(de)(de)空間廣(guang)闊。華東PCB光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)集(ji)成(cheng)電(dian)路材(cai)料(liao)

光(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠通過光(guang)(guang)(guang)化學(xue)反應，經曝(pu)光(guang)(guang)(guang)、顯(xian)影等光(guang)(guang)(guang)刻(ke)工序(xu)將(jiang)所(suo)需要的微細(xi)圖形從光(guang)(guang)(guang)罩（掩模版）轉移到待加工基片(pian)上。蘇(su)州g線光(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠單(dan)體

環狀單分子樹脂中除了杯芳烴(jing)類物質(zhi)以外，還有一類被(bei)稱為“水車(che)”（Noria）的(de)光刻膠，該(gai)類化合(he)物由戊二醛(quan)和間(jian)苯二酚(fen)縮合(he)而成，是一種中心空腔的(de)雙層環梯狀結構(gou)分子，外形像傳統的(de)水車(che)，因此得(de)名，起初在2006年(nian)時由日本神奈川(chuan)大學的(de)Nishikubo課題組報道出來。隨后，日本JSR公(gong)司的(de)Maruyama課題組將(jiang)Noria改性(xing)，通過金剛烷基團保護得(de)到了半周(zhou)期為22nm的(de)光刻圖形。但是這種光刻膠的(de)靈敏度較(jiao)低、粗糙度較(jiao)大，仍需進一步改進才能推廣應用。蘇(su)州g線光刻膠單體

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